レーザースクライバー装置
レーザースクライバー装置は、光学系によるビーム拡大・整形・集光によりレーザービームをミクロンレベルに集光し、材料表面上を往復走査することで被加工材を溶融・気化させ、一定深さの溝(スクライブ溝)を形成してスクライバー加工を行います。
レーザースクライバー装置は、チップ抵抗の製造プロセスにおける重要設備であり、セラミック基板およびPCBフレキシブル基板を基材とするチップ抵抗基板のレーザースクライバーに用いられます。
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<±5μm表裏重ね合わせ精度
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10-20µm(UV)、20-50µm(IR)線幅
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製品特長
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製品用途
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製品仕様
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関連製品
製品特長
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自社開発レーザーにより、低コスト・長寿命・万全なアフターサポートを実現
PT自社開発のレーザーを採用し、用途に応じたカスタムレーザーにも対応可能なため、低コスト化を実現します。光ファイバー、結晶、ポンプ光源など最適な部材を選定してレーザーを組み上げ、72時間のエージング試験を実施することで、長期運用における信頼性を確保しています。
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2種類の加工方式(スクライバー/穴あけ)に対応
線は横方向・縦方向の罫線加工に対応し、単回または複数回の重ね切りが可能です。穴あけは位置に応じてレーザーをトリガし、等ピッチで穴あけ加工を行います。罫線・穴あけのいずれも、交差線の重ね合わせ点をスキップすることができ、交点部での加工深さ過多を防止します。
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表裏罫線の相対重ね合わせ精度に優れる
表裏罫線の相対重ね合わせ精度とは、基板表面の罫線と裏面の罫線における切り込み位置の相対偏差を指します。最小偏差は<±5μmを実現します。
製品用途
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赤外線ライン引き 2D俯瞰図 -
赤外線ラインマーキング 3D俯瞰図 -
マーキング深さ 0.0755mm -
紫外線マーキング 2D俯瞰図 -
紫外線マーキング 3D俯瞰図
HiPA-レーザースクライバー
製品仕様
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HiPA标准
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选配
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製品仕様
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深さ
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線幅
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レーザー
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直線度
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垂直度
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HiPA标准
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製品仕様01005-2512
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深さ10μm ~ 500μm
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線幅20μm ~ 50μm
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レーザーCW 200W、MOPA 20W
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直線度1μm/70mm
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垂直度2μm/70mm
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选配
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製品仕様/
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深さ/
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線幅深度10μm~100μm:线宽小于30μm 深度100μm~500μm:线宽30μm~50μm
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レーザーCW 激光器划陶瓷,MOPA 激光器扫油墨
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直線度/
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垂直度/
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関連製品
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薄膜レーザートリミング装置測定範囲:0.1Ω~500MΩ、測定精度:±0.01%、多仕様の抵抗に対応。 -
厚膜レーザートリミング装置セラミック基板を基材とするチップ厚膜抵抗/ハイブリッド回路(厚膜)のレーザートリミングに用いられ、抵抗値範囲は0.1Ω~500MΩに対応します。 -
レーザースクライバー装置表裏面スクライバーの繰返し精度は±5μm以内を実現し、直線度±0.75μm/70mmおよび位置決め精度±1μmを達成します。 -
単体測定機レーザートリミング前の初回検査、レーザートリミング後の再測定または最終検査、印刷工程における抵抗印刷後の抵抗値測定に使用します。 -
高電圧試験機単枚の抵抗基板を対象に、各抵抗のトリミング前後における耐電圧特性を評価するために使用します。 -
TCR高温試験機温度特性の異なる抵抗を選別・分類し、規格外の温度特性を持つ抵抗に対してレーザー切断(不良カット)を行います。