お客様の個人プライバシーを非常に重視しております。当ウェブサイトをご利用の際は、すべてのクッキーの使用に同意いただくようお願いいたします。個人データの処理に関する詳細は『プライバシーポリシー』をご覧ください。

  • 晶圆调阻机.png
  • 晶圆调阻机.png
新商品発表

ウェハートリマー

ウェハートリマーは、高精度モーションステージと自社開発の測定システムを搭載した、半導体・電子部品向けの高精度レーザートリミング装置です。広い測定レンジと高い測定精度を備え、安定したレーザー性能と高精度な位置決め制御により、単結晶およびチップウェハに対する微細・高精度なレーザー加工を実現します。

UVレーザーを用いたトリミング加工により、チップ抵抗や単結晶抵抗体などの微細構造に対して、高い再現性と安定した加工品質を提供し、先端電子部品製造プロセスにおける生産効率と製品歩留まりの向上に貢献します。

  • 4"、6"、8"
    対応ウェハーサイズ
  • 2~6μm
    切断線幅
  • ±0.1μm
    切断位置決め精度
vs
対比に加える
  • ウェハートリマー
  • 製品特長

  • 製品用途

  • 製品仕様

  • 応用シーン

製品特長

  • 高精度モーションステージ搭載

    高精度な運動制御により、トリミング位置決め精度が高く、安定した加工品質を実現。

  • 自社開発測定・制御システム

    自社開発の制御ソフトウェアにより、コードスキャンや MES とのカスタマイズ連携にも対応。

  • 多様な測定機器・作業モードに対応

    自社測定システム、パワーメータ、オーム計、チップテスタなどをサポートし、直切モード、測定後切断、測定しながら切断など多様な作業モードに対応。

  • 高精度な位置決めと繰返し精度

    マルチ視覚による位置決め、マーク位置決め、プローブ位置決めに対応し、運動ステージの繰返し位置決め精度は ±0.5µm、トリミング位置決め精度は ±0.1µm。

  • 微細トリミング対応

    トリミング溝幅は 2µm~6µm と微細加工に対応。

  • 多様なウェハ仕様をサポート

    4インチ、6インチ、8インチウェハに対応し、単結晶体の加工にも対応可能。

  • 多彩なトリミングカット形状

    シングル、ダブル、L、H、U、J カット、サーペンタイン、オーバーラップなど、豊富なカットパターンに対応。

製品用途

  • underlay image 单体结晶.png
    単体結晶
  • underlay image 1枚ウェハー.png
    1枚ウェハー
  • underlay image モジュール化回路の切断.png
    モジュール化回路の切断
    溝幅:2μm 溝深さ:1μm
  • underlay image ウェハー切断.png
    ウェハー切断 イメージ図

製品仕様

シリーズモデル
  • ウェハートリマー
    晶圆调阻机.png
    vs
  • 繰返し位置決め精度ウェハーサイズ
  • 測定と抵抗調整範囲
  • 抵抗調整精度
  • プローブカード
  • プローブ設定
  • 測定解像度
  • チャンネル数量
  • 製品仕様
  • 切断速度
  • 溝幅
  • カット回数
  • カット形状
  • ウェハートリマー

    晶圆调阻机.png
    • 繰返し位置決め精度ウェハーサイズ
      4”、6”、8”
    • 測定と抵抗調整範囲
      100mΩ ~ 1GΩ
    • 抵抗調整精度
      ±0.05%、±0.1%、±1%
    • プローブカード
      200mm × 110mm 矩形PCB、またはGT7
    • プローブ設定
      4端子/2端子測定、針先が下向き
    • 測定解像度
      0.0015%
    • チャンネル数量
      16枚リレープレート、384チャンネル(2T) 或192チャンネル(4T)
    • 製品仕様
      抵抗体:01005-2512
      結晶線路:5μm × 1μm—5mm × 5mm
    • 切断速度
      1 mm/s ~ 2000 mm/s
    • 溝幅
      2 μm ~ 6 μm
    • カット回数
      1 ~ 300
    • カット形状
      L字、LL字、I+L 、U字、エッジカット、サッペンタインカット、Jカット、L Sモートなど対応可能

お客様の情報を入力してください

関連リソースを今すぐ入手
  • 私は注意深く読み、同意しますプライバシーポリシー
  • 送信