ウェハートリマー
高精度運動ステージ+自社開発測定システム搭載
測定範囲が幅広い（100mΩ~1GΩ）
測定精度が高い（±0.01%）
トリミング総合の位置決め精度が高い（±2μm）
チャンネル数が多い（4Tチャンネルで最大192個をサポート可能））
製品特徴
高精度運動ステージ+自社開発測定システム搭載
- ご要求に応じ、自社製の制御システムでコードスキャンとMESのカスタイマイズにも対応
- 多種類の計器をサポート (自社開発測定システム、パワーメータ、オーム計、チップテスター等)
- 多種類の作業モードをサポート（直接カットモード、測定後カットモード、測定しながらカットモード）
- マルチ視覚による位置決めをサポート可能 (ウェハー位置きめ、プローブ位置決め、位置決め)
- 運動ステージの精度が高い、繰返し決め精度 (±0.5μm)
- トリミング位置決め精度が高い、繰返し決め精度が (±0.1μm)
- トリミング溝幅が狭い (2μm～6μm)
- 多種のウェハー仕様をサポート可能 (4”、6”、8“)、単体結晶も対応可能
- トリミングカット形状が多い(シングル、ダブル、L/I＋L/U/Jカット、サーペンタイン、 オーバーラップ)
アプリケーション効果
UVレーザーを用いたウェハートリマーで、単体結晶およびワンチップウェハーにおいてレーザー加工を行います。
単体結晶
モジュール化回路の切断
イメージ図
溝幅：2μm 溝深さ：1μm
1枚ウェハー
ウェハー切断
イメージ図
*詳細については、製品資料をダウンロードしてください
製品仕様
機械
| 項目 | HiPA標準 | オプション |
|---|---|---|
| 設備型番 | LTS-WF-A1 | / |
| 設備サイズ | 1420mm × 1550mm × 1950mm（シグナルタワー含まない） | / |
| 重量 | 約1500KG | / |
| 材料供給方式 | ロボットアーム | オプション：手動材料供給 |
| XYモジュールストローク | X: 500mm Y:300mm | / |
| XYモジュール繰返し位置決め精度 | ±0.5μm | / |
| プローブZ軸ストローク | 15mm | / |
| プローブZ軸繰返し位置決め精度 | ±0.5um | / |
| ウェハーサイズ | 4”、6”、8” | オプション：単体結晶 |
| ウェハーステージ | 4”、6”、8” | オプション：温度制御型 範囲：20℃-120℃ |
| パワーメータ測定範囲 | 1mW-10W（加工ステージの横に） | / |
| ノイズ | ＜75dB | / |
| 設備内部環境温度 | 設定範囲20-30℃（温度制御精度±1℃） | / |
測定
| 項目 | HiPA標準 | オプション |
|---|---|---|
| 測定と抵抗調整範囲 | 100mΩ ~ 1GΩ | 1、外部の標準テスタ や計測器（オーム計、 パワーメータ、チップ テスタなど）との接続 に対応できる 2、測定システムを搭 載しない場合でも、外 部テスタからのテスト データを取り込み、指 定された位置をカット することが可能である。 |
| 抵抗調整精度 | ±0.05%、±0.1%、±1% | |
| プローブカード | 200mm × 110mm 矩形PCB、またはGT7 | |
| プローブ設定 | 4端子/2端子測定、針先が下向き | |
| 測定解像度 | 0.0015% | |
| チャンネル数量 | 16枚リレープレート、384チャンネル(2T) 或192チャンネル(4T) | |
| 測定安定性 | 単枚: 1R: ＜0.1%；10R: ＜0.01%；10K: ＜0.01%； 1M: ＜0.05%；100M: ＜0.1%；500M: ＜0.25% 単列: 1R: ＜0.1%；10R: ＜0.1%；10K: ＜0.1%； 1M: ＜0.1%；100M: ＜0.2%；500M: ＜0.5% |
|
| MSA | ＜10% |
システム
| 項目 | HiPA標準 | オプション |
|---|---|---|
| 操作システム | WIN10専門版（中国語/英語） | WIN11専門版（中国語/英語） |
| 電圧 | AC 220V 50Hz/60Hz | トランスとUPSを手配 |
| 気圧 | 0.4Mpa～0.6Mpa | / |
| 集塵機接続口径 | Φ50mm | 集塵ホースサイズはカスタマイズ可能 |
| 作業温度範囲 | 23℃±3℃ | / |
| 作業湿度範囲 | 50%±10% | / |
工法&視覚
| 項目 | HiPA標準 | オプション |
|---|---|---|
| 製品仕様 | 抵抗体：01005-2512 結晶線路：5μm × 1μm—5mm × 5mm | / |
| レーザー波長 | 355nm | / |
| レーザーパワー | UV≥5W@400kHz | / |
| ガルバノスキャン範囲 | 10mm × 10mm | / |
| ガルバノ位置決め精度 | 0.1μm | / |
| フォーカス焦点距離 | F50 | / |
| 切断速度 | 1mm/s～2000mm/s | / |
| 溝幅 | 2μm～6μm | / |
| カット回数 | 1-300 | / |
| カット形状 | L字、LL字、I＋L 、U字、エッジカット、サッペンタインカット、 Ｊカット、L Sモートなど対応可能 | / |
| PR視野範囲 | 5.0mm ×3.8mm | PR：Pattern Recognition |
| PR解像度 | 3.5μm | / |
| PR拡大倍率 | 30X | / |
| BP視野範囲 | 5.7mm × 4.3mm | BP：Beam Position |
| BP解像度 | 2.2μm | / |
| BP拡大倍率 | 26X | / |
| 顕微鏡範囲 | 0.8mm × 0.7mm | / |
| 顕微鏡解像度 | 0.35μm | / |
| 顕微鏡拡大倍率 | 180X | デジタル拡大も対応、最大100倍まで拡大できる |
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